英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSi MOSFET G2

  on 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。

  据了解，与上一代产品相比，英飞凌新一代的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V Generation 2技术在保持卓越质量和可靠性的基础上，实现了主要性能指标的大幅度的提高。具体而言，该技术在能量和电荷储量等关键指标上提高了20%，从而明显提升了整体能效。这一提升不仅有助于减少能源浪费，还为实现更为环保、高效的能源利用提供了坚实的技术支撑。

  英飞凌新一代CoolSiC™ MOSFET G2技术充分的利用了碳化硅材料的优异性能，通过降低能量损耗来优化功率转换过程。这一技术革新在光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和等功率半导体应用领域具有广泛的应用前景。它将帮助这些领域的客户实现更高的能效，进而推动整个行业的低碳化进程。

  行业专家表示，英飞凌新一代碳化硅MOSFET技术的推出，是电力电子领域的一次重大突破。它不仅提升了功率系统的性能，还为实现更环保、高效的能源利用提供了技术上的支持。随着这一技术的广泛应用，未来电力电子领域将迎来更为广阔的发展空间。

  作为电力电子领域的领军企业，英飞凌始终致力于推动技术创新和产业升级。此次新一代碳化硅MOSFET技术的推出，再次展现了英飞凌在电力电子领域的强大研发实力和创造新兴事物的能力。未来，英飞凌将继续致力于研发更先进、高效的电力电子技术，为推动全球能源转型和可持续发展贡献更多力量。

  材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。 安富利合作伙伴

  ，助力下一代高性能电源系统 /

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  的发展 /

  和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制作成各种几何尺寸的压敏电阻，然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将

  功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。

  的应用及性能优势 /

  是一种新型的功率半导体器件，具有在高频开关电路中大范围的应用的多个优势。 1. 高温特性：

  尖峰的抑制 /

  的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。

  为中高功率密度应用赋能 /

  芯片设计及发展趋势 /

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